Транзистор кт368ам в Волжском

Транзисторы КП103К - это кремниевые диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Они предназначены для использования во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транз...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

В комплекте 2 штуки новых транзисторов TRANSISTOR, MOSFET, POLARITY N; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipatio...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи т...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

PC817CN8 Оптопара транзисторная LTV-817S-TA1-C, Оптопара транзисторная, (=PC817), [DIP-4 SMD] OPTOCOUPLER 200-400%, SMD Корпус DIP4 Технические параметры Количество каналов 1 Напряжение изоляции (RMS), В 5000 Коэффициент передачи по току (Min), % 200 Коэффициент передач...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других радиотехнических и электронных устройствах. Транзисторы поставляются в м...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Наименование: КТ3107АМ Тип: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (PK (max)): 0.25 Вт Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 50 В Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 50 В Максимально допустимое на...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700(1500) В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(15000) мА Максимально допустимая пост...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В*: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк, Вт) 60

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Биполярный транзистор, PNP, -20В, -0.1А, 0.3Вт, 250МГц, h21e=120…220 [КТ-26 / TO-92

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор PNP 40В 4А [TO-126

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор NPN, 7А, 400В, h21e =10 [КТ-28-2 / TO-220] (BU104DP)

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура npn Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10 Корпус kt-27-2 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц 40 Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи, В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр...

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока ста...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350...

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20…90...

Транзисторы КТ355А - это сверхвысокочастотные усилительные транзисторы с ненормированным коэффициентом шума, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне частот. Они используются в электронной аппаратуре общего назначения и мар...

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF640N IOR транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог STP20N20 схема IRF640 характеристики цоколевка datasheet MOSFET Характеристики транзистора IRF640N Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора...

Транзистор КТ3102АМ TO-92, транзистор NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200Мгц, 10штук по выгодной цене

TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более...

Транзистор КТ898А1 TO-3PML, KT898A1 NPN, 1шт по выгодной цене

Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор

В комплекте 2 штуки новых деталей AO4407A транзистор (2 шт.) SOP-8 аналог AM4407P схема AOSP21307 характеристики BSC130P03LSG цоколевка datasheet MOSFET микросхема AO4407A низковольтный кремниевый P-канальный полевой транзистор, разработанный специально с такими характе...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S9014 J6 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог KSP42 схема MPSA42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S9014 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более:...

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

К190КТ2П Микросхемы К190КТ2П представляют собой четырехканальный коммутатор (2x2) на 4 полевых транзисторах с изолированным затвором. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в 14-выводном прямоугольном пластмассовом к...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов L7905CV транзистор (2 шт.) TO-220 аналог KA7905 схема TA79005P характеристики цоколевка datasheet ВТА06 Микросхема L7905CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением -5,0 В отрицательной полярности. Предназна...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N7000 CXE транзистор (5 шт.) TO-92 аналог BS170 схема BSS138 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet N-канальный полевой транзистор 2N7000, как указано в его технических характеристиках, идеально подходят для широкого спектра устр...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC517 транзистор (5 шт.) TO92 аналог MPSA12 схема КТ645А характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС517 Характеристики транзистора BC517 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не бо...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальн...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

КТ819В транзисторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах. КТ819В транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 2,5 г. Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220). Техни...

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

КТ890А Транзисторы КТ890А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в схемах зажигания автомобильных двигателей. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзистора не более 6,0 г. в комплекте:...

Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

Категория: радиодетали. транзистор 2SC5706-T-TL T0-252

Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...

Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 20 В Максимальное напряжение: коллектор-база: 25 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Мощность: рассеи...

Количество в упаковке: 20 шт

Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене

Транзисторы КТ315И,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Транзисторы КТ315Ж зелёные,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Транзисторы продаются комплектом по 3 штук. Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ и нормированным КТ201ДМ коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усили...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350...

Транзисторы КТ361Б,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Транзисторы КТ315Ж,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Тип: транзистор

В комплекте 5 штук новых транзисторов BAT54S KL4 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог KL4R20, схема SMP40-180 характеристики цоколевка datasheet Preliminary Data Sheet PD-20762 12/01 BAT54S SCHOTTKY DIODE 0.2 Amp 3 2 Major Ratings and Characteristics SOT23 Characteristic...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Тип: транзистор

Наименование прибора: SPP20N60C3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Сопротивление сток-исток открытого тран...

Транзисторы КТ805ВМ, TO-220, 5шт по выгодной цене

Количество в упаковке: 5 шт

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Основные технические параметры КТ827А: КТ827А Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторит...

Характеристики транзистора MMBT5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт Коэф...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Тип: транзистор

Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 20 Максимальная рассеиваемая мощ...

Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене

Тип: транзистор

Количество в упаковке: 5 шт

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20…90...

Количество в упаковке: 5 шт

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20...

Тип: транзистор

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200…50...

Количество в упаковке: 8 шт

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Количество в упаковке: 2 шт

В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet Транзистор SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2301 маркировка A...

Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 850 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 500 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 5000(7000) мА Максимально допустимая постоянная рассеи...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…...

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

N-channel Logic Level Enhancement mode OptiMOS Power-Transistor,Vds=55V, Id=30A, Rds(on)=35 mOhm, Ptot=68W

Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковы...

КТ859А Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпу...

В комплекте 5 штук новых транзисторов ВС337 транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC337-16 схема 2N5818 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet MPSA06 Характеристики транзистора BC337 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не...

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в кскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…...

Транзисторы КТ961Б, TO-126, 5 шт по выгодной цене

Транзисторы КТ940А1 (BF459, BF458,BF422), TO-92, 20шт по выгодной цене

Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...

Silicon N-Channel MOSFET, Vdss=30V, Id=12A, Pd=1,9W, Rds(on)=7,6 mOhm (This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care) количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

Количество в упаковке: 25 шт

Количество в упаковке: 10 шт

Количество в упаковке: 8 шт

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Гр...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.02 Статический коэффициент передачи тока h21э мин...