2X транзистор в Волгограде
2X транзистор в Йошкар-Оле

2X транзистор в Волжском

680 товаров
Вы выбрали: 2X транзистор
Сбросить (2)

Популярный N-канальный полевой транзистор IRFZ44N в корпусе TO-220 от производителя IR. Наиболее востребован в схемах преобразователей напряжения, конвертеров, драйверов светодиодов, мощных автомобильных усилителях и в большом количестве других направлений и сфер радиоэ...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 175 руб.
Популярный N-канальный полевой транзистор IRFZ44N в корпусе TO-220 от производителя IR. Наиболее востребован в схемах преобразователей напряжения, конвертеров, драйверов светодиодов, мощных автомобильных усилителях и в большом количестве других направлений и сфер радиоэлектроники. Основу транзисторо...

от 175 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Волжский

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор биполярный 2SA1943-O(Q) (PNP 230В 15A TO3P) по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 330 руб.
Транзистор биполярный 2SA1943-O(Q) (PNP 230В 15A TO3P) по выгодной цене

от 330 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка 5-6 дней

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75 Гра...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 237 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75 Граничная частота коэффициента пе...

от 237 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Волжский

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 221 руб.
Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами

от 221 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Волжский

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики транзистора MJE13009 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 700 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффи...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 226 руб.
Характеристики транзистора MJE13009 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 700 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффициент усиления транзистора по...

от 226 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Волжский

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзистор КТ3101АМ кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор. Корпус - КТ-29. Маркировка - две белые прерывистые полосы. количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор аналоги: 2Т3101А, 2SC1236

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 499 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзистор КТ3101АМ кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор. Корпус - КТ-29. Маркировка - две белые прерывистые полосы. количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор аналоги: 2Т3101А, 2SC1236

от 499 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка 5-6 дней

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристика товара: ➤ Тип: электролитический. ➤ Рабочее напряжение: 25 В. ➤ Диаметр: 16. ➤ Длина: 25. ➤ Рабочая температура: -55.105. ➤ Номинальная емкость: 4700 мкФ

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 262 руб.
Характеристика товара: ➤ Тип: электролитический. ➤ Рабочее напряжение: 25 В. ➤ Диаметр: 16. ➤ Длина: 25. ➤ Рабочая температура: -55.105. ➤ Номинальная емкость: 4700 мкФ
1 отзыв

от 262 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Волжский

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Рабочая температура: -55...105. Номинальная емкость: 4700 мкФ. Длина: 25. Диаметр: 16. Рабочее напряжение: 25 В. Тип: электролитический

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 249 руб.
Рабочая температура: -55...105. Номинальная емкость: 4700 мкФ. Длина: 25. Диаметр: 16. Рабочее напряжение: 25 В. Тип: электролитический
1 отзыв

от 249 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Волжский

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Контроллер 3,7В 28x4mm 2pin 265-sxt-2845 JWT Химический состав Li-Pol Номинальное напряжение: 3,7В Напряжение заряда: 4,25В Номинальный ток разряда: 3-4А Максимальный ток заряда: 3-4А Напряжение перезаряда ячейки (VCU): 4,25±0,025В Время срабатывания защиты: 0,7-1,35с Н...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 362 руб.
Контроллер 3,7В 28x4mm 2pin 265-sxt-2845 JWT Химический состав Li-Pol Номинальное напряжение: 3,7В Напряжение заряда: 4,25В Номинальный ток разряда: 3-4А Максимальный ток заряда: 3-4А Напряжение перезаряда ячейки (VCU): 4,25±0,025В Время срабатывания защиты: 0,7-1,35с Напряжение возобновления заряда...

от 362 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Волжский

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 314 руб.
Тип: транзистор

от 314 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Волжский

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: симистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 258 руб.
Тип: симистор

от 258 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Волжский

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор биполярный 2SC5200-O[Q] (NPN+PNP 230В 15A TO-3P) по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 330 руб.
Транзистор биполярный 2SC5200-O[Q] (NPN+PNP 230В 15A TO-3P) по выгодной цене

от 330 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка 3-4 дня

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка 2N7002, цена от 8 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы. количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 128 руб.
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка 2N7002, цена от 8 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы. количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 128 руб.

Посмотреть

Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...

от 149 руб.
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

SS8550) Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент...

от 194 руб.
SS8550) Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 85 Гра...

от 194 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 VПредельное постоянное...

от 129 руб.

Посмотреть

Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор

от 179 руб.
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор

от 179 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcим...

от 218 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллекто...

от 218 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 294 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 294 руб.

Посмотреть

Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный п...

от 149 руб.
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

от 850 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип корп...

от 850 руб.

Посмотреть

Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффи...

от 213 руб.
Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффициент усиления транзистора по...

от 213 руб.

Посмотреть

N канальный. очень распространенный транзистор

от 225 руб.
N канальный. очень распространенный транзистор

от 225 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 194 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 194 руб.

Посмотреть

Транзистор полевой (N-канал 500В 20A KT-431) КП809Б по выгодной цене

от 207 руб.
Транзистор полевой (N-канал 500В 20A KT-431) КП809Б по выгодной цене

от 207 руб.

Посмотреть

Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...

5 1 отзыв
от 211 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный...
1 отзыв

от 211 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...

от 200 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 209 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 209 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная те...

от 248 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 15...

от 248 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Гр...

от 131 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частота коэффициента п...

от 131 руб.

Посмотреть

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частот...

от 215 руб.
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частота коэффициента передачи тока М...

от 215 руб.

Посмотреть

Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...

от 216 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи тока - 8МГц. Максимальное нап...

от 216 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 264 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 264 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 AПредельная тем...

от 129 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс....

от 130 руб.
Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс. напр. к-б при заданном обратн...

от 130 руб.

Посмотреть

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 350mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A, KT3130A9...

от 212 руб.
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 350mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A, KT3130A9, KT3130A, КТ3139А тип: транз...

от 212 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тр...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V Предельное пос...

от 129 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 150 руб.
Тип: транзистор

от 150 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...

от 149 руб.
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное н...
1 отзыв

от 128 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзис...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 300 VПредельное постоянн...

от 128 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro

от 319 руб.
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro
1 отзыв

от 319 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 140 руб.
Тип: транзистор

от 140 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 602 руб.
Тип: транзистор

от 602 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Ип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcималь...

от 221 руб.
Ип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора...

от 221 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...

от 135 руб.
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 0.7 ВтКрутизна характерис...

от 135 руб.

Посмотреть

E13005 Транзистор NPN 400В 4А 75Вт (TO-220) по выгодной цене

от 215 руб.
E13005 Транзистор NPN 400В 4А 75Вт (TO-220) по выгодной цене

от 215 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

от 186 руб.
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 ВМ...

от 186 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 386 руб.
Тип: транзистор

от 386 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор, аналоги: КТ364А-2

от 244 руб.
Тип: транзистор, аналоги: КТ364А-2

от 244 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоя...

от 236 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Мак...

от 236 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|:...

от 330 руб.
Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пос...

от 330 руб.

Посмотреть

MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0 Мощность: рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 50 A Тип: МОП - Транзистор, кремниевый, 1 N-канал Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Сопротивление...

от 288 руб.
MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0 Мощность: рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 50 A Тип: МОП - Транзистор, кремниевый, 1 N-канал Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Сопротивление: сток-исток открытого транзис...

от 288 руб.

Посмотреть

Транзистор 50JR22 (арт. 61/50/597)

от 499 руб.
Транзистор 50JR22 (арт. 61/50/597)

от 499 руб.

Посмотреть

Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМаксимально допустимый ток: 6АМаксимальная рассеиваемая мощность: 65ВтКорпус: TO-220

от 223 руб.
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМаксимально допустимый ток: 6АМаксимальная рассеиваемая мощность: 65ВтКорпус: TO-220

от 223 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макc...

от 646 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 646 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 199 руб.
Тип: транзистор

от 199 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 139 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 VПредельное постоянное...

от 139 руб.

Посмотреть

Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390

от 390 руб.
Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390

от 390 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 271 руб.
Тип: транзистор

от 271 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.35 V Максимально допустимый по...

от 293 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.35 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 62 A...

от 293 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20 VПредельное постоянное н...

от 128 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 225 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 225 руб.

Посмотреть

JCS12N65FT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допу...

от 590 руб.
JCS12N65FT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |I...

от 590 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 259 руб.
Тип: транзистор

от 259 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 80ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 50ВМаксимально допустимый ток: 8АМаксимальная рассеиваемая мощность: 15ВтКорпус: to251aa

от 189 руб.
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 80ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 50ВМаксимально допустимый ток: 8АМаксимальная рассеиваемая мощность: 15ВтКорпус: to251aa
1 отзыв

от 189 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 345 руб.
Тип: транзистор

от 345 руб.

Посмотреть

Транзистор 2N6038G по выгодной цене

от 200 руб.
Транзистор 2N6038G по выгодной цене

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор, SMD-корпус

от 142 руб.
Тип: транзистор, SMD-корпус

от 142 руб.

Посмотреть

Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390

от 390 руб.
Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390

от 390 руб.

Посмотреть

Биполярный транзистор, характеристики NF, 40V, 5A, 0,75W, 150MHz

от 180 руб.
Биполярный транзистор, характеристики NF, 40V, 5A, 0,75W, 150MHz

от 180 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Рубрика 2X транзистор содержит 680 товаров, которые продаются в 68 магазинах в Волжском по цене от 0.89 руб. до 1970 руб.
Новые категории
8Thdays Dr 100 12 mean well Кресло анна 1 Pro plan delicate Cata c 600 black halogen Приемники с usb Philips she9700 Browning black viper mk 850 fd Пенал Herlitz rock
Может быть интересно